MOSFET P, IRF9Z34NPBF, 55v-17A max.

Le MOSFET de puissance IRF9Z34NPBF est un transistor unipolaire à canal P (P-MOSFET) de type HEXFET, conçu pour la commutation haute tension et fort courant. Logé dans un boîtier TO-220AB, il sert idéalement d'interrupteur haut de gamme (high-side), se plaçant entre l'alimentation positive et la charge.

Ce composant supporte une tension drain-source de -55 V et un courant continu de -17 A, avec une résistance à l'état passant (Rds(on)) typique de 100 mΩ. Il est parfait pour piloter des moteurs DC, des chaînes de LEDs ou d'autres charges inductives/résistives nécessitant une commande par microcontrôleur ou circuit logique.

Caractéristiques

• Type : MOSFET Canal P (P-Channel)
• Tension Drain-Source (Vds) : -55 V
• Courant Drain Continu (Id) : -17 A
• Puissance maximale dissipée : 56 W
• Résistance à l'état passant (Rds(on)) : 100 mΩ (max)
• Boîtier : TO-220AB (perçage trou central)
• Technologie : HEXFET, THT
• Charge grille totale : 23.3 nC
• Thermal Resistance (Junction-to-Ambient) : 62 K/W (note: datasheet standard pour TO-220 sans dissipateur, ici 2.7K/W likely refers to Junction-to-Case RθJC)

Note technique : Pour un MOSFET canal P, la grille doit être tirée au niveau de l'émetteur (ou à une tension inférieure) pour le conduire, et relâchée vers le potentiel d'alimentation pour le bloquer. Une résistance de pull-up sur la grille est souvent recommandée.