Power MOSFET (N-Type, STP11NM60FD, 600V-11A max.)

Fabricant: STMicroelectronics

Catégorie du produit: MOSFET

Technologie: Si

Style de montage: Through Hole

Package/Boîte: TO-220-3

Polarité du transistor: N-Channel

Nombre de canaux: 1 Channel

Vds - Tension de rupture drain-source: 600 V

Id - Courant continu de fuite: 11 A

Rds On - Résistance drain-source: 450 mOhms

Vgs - Tension grille-source: - 30 V, + 30 V

Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3 V

Qg - Charge de grille: 40 nC

Température de fonctionnement min.: - 65 C

Température de fonctionnement max.: + 150 C

Pd - Dissipation d’énergie : 35 W

Mode canal: Enhancement

Série: STP11NM60FD

Configuration: Single

Temps de descente: 15 ns

Hauteur: 9.3 mm

Longueur: 10.4 mm

Type de produit: MOSFET

Temps de montée: 16 ns

1000

Sous-catégorie: MOSFETs

Type de transistor: 1 N-Channel

Délai d'activation standard: 20 ns

Largeur: 4.6 mm

Poids de l''unité: 2 g