MOSFET N, STP11NM60FD, 600V-11A max.
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MOSFET de puissance STP11NM60FD (600V, 11A) en boîtier TO-220-3. Idéale pour commuter des moteurs ou des charges inductives avec une faible résistance à l'état passant.
Le MOSFET STP11NM60FD de STMicroelectronics est un transistor de puissance à canal N conçu pour le montage traversant (Through-Hole) dans un boîtier TO-220-3. Il offre une tension de claquage drain-source (Vds) de 600 V et un courant continu (Id) de 11 A, avec une résistance à l'état passant (Rds(on)) typique de 450 mΩ.
Ce composant est idéal pour la commutation de charges inductives ou résistives telles que des moteurs, des relais ou des alimentations. Sa tension de grille maximale de ±30 V et sa faible charge de grille (40 nC) facilitent le pilotage par microcontrôleurs ou drivers logiques.
Caractéristiques
- Tension de claquage Drain-Source (Vds) : 600 V
- Courant continu Drain (Id) : 11 A
- Résistance à l'état passant (Rds(on)) : 450 mΩ
- Tension Grille-Source (Vgs) : ±30 V
- Tension de seuil Grille-Source (Vgs(th)) : 3 V
- Charge de grille (Qg) : 40 nC
- Pertes par conduction (Pd) : 35 W
- Type de boîtier : TO-220-3
- Température de fonctionnement : -65 °C à +150 °C
- Temps de montée / descente : 16 ns / 15 ns
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