MOSFET N Channel 60V 0.5A TO-92 (BS170)

Le MOSFET BS170 est un transistor à effet de champ à canal N (N-MOSFET) conçu pour la commutation et l'amplification de signaux. Logé dans un boîtier compact TO-92, il est idéal pour contrôler des charges de faible puissance telles que des LEDs, des relais ou de petits moteurs dans vos projets Arduino, Raspberry Pi ou ESP32.

En tant que MOSFET à enrichissement (enhancement mode), le composant reste bloqué tant que la tension grille-source n'atteint pas un seuil suffisant. Il se place généralement entre la charge et la masse (GND) pour une commande par le microcontrôleur.

Caractéristiques

• Type : N-MOSFET à canal N, mode enrichissement
• Tension Drain-Source (V_DSS) : 60 V
• Courant Drain continu (I_D) : 0.5 A (500 mA)
• Puissance maximale dissipée (P_D) : 0.83 W
• Résistance On (R_DS(on)) : typiquement 1.2 Ω à V_GS = 10 V
• Tension Grille-Source maximale : ±20 V
• Boîtier : TO-92, montage traversant (THT)
• Fabricant : ON Semiconductor (anciennement Fairchild)

Note : Ce composant est adapté aux applications basse puissance. Pour des courants supérieurs à 1 A ou une meilleure efficacité, privilégiez un MOSFET en boîtier SMD ou TO-220 avec une R_DS(on) plus faible.